人工智能时代的到来，让现有的分级存储架构，难以满足对高算力和低能效的需求，亟需技术突破。复旦大学周鹏、刘春森团队日前成功研制“破晓”皮秒闪存器件，擦写速度达到400皮秒，也就是25亿分之一秒，是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件。相关研究成果也在昨晚发表于国际顶尖期刊《自然》主刊。

眼前这个只有几厘米大小的存储器，就是复旦大学研发的“破晓”皮秒闪存器件，也是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件，每秒可以工作25亿次。

周鹏 复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室教授

在“破晓”诞生之前，速度最快的存储器均为易失性存储器。为了突破信息的非易失存取速度极限，复旦团队成功从理论上预测了超注入现象，并据此研制“破晓”。不仅数据存取速度更快，能耗也更低，更能够满足人工智能时代的需要。复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室青年研究员刘春森介绍，目前在个人电脑部署本地AI大模型的主要困难源于大容量高速存储的不足，当闪存速度大大提升，个人本地部署“满血”版AI大模型的效率也将显著提升。

刘春森 复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室青年研究员